1n4001 ... 1n4007, 1n4007-13, EM513, em516, em518 1n4001 ... 1n4007, 1n4007-13, EM513, em516, em518 silicon rectifier diodes C silizium-gleichrichterdioden version 2009-10-16 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 1 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 50...2000 v plastic case kunststoffgeh?use do-41 do-204al weight approx. gewicht ca. 0.4 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] 1n4001 50 50 1n4002 100 100 1n4003 200 200 1n4004 400 400 1n4005 600 600 1n4006 800 800 1n4007 1000 1000 1n4007-13 1300 1300 EM513 1600 1600 em516 1800 1800 em518 2000 2000 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 75c t a = 100c i fav 1 a 1 ) 0.8 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 10 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 50/55 a rating for fusing C grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 12.5 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+175c -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 0.77 0.07 ? 2.6 -0.1 6 2 . 5 + 0 . 5 5 . 1 - 0 . 1 - 2 . 5
1n4001 ... 1n4007, 1n4007-13, EM513, em516, em518 characteristics kennwerte forward voltage C durchlass-spannung t j = 25c i f = 1 a v f < 1.1 v leakage current sperrstrom t j = 25c t j = 100c v r = v rrm v r = v rrm i r i r < 5 a < 50 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 45 k/w 1 ) thermal resistance junction to leads w?rme widerstand sperrschicht C anschlussdraht r thl < 15 k/w 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 10 10 1 10 10 2 -1 -2 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) 0.4 v f 0.8 1.0 1.2 1.4 [v] 1.8 t = 25c j t = 125c j 50a-(1a-1.1v) peak forward surge current versus number of cycles at 50 hz durchla?-spitzenstrom in abh. von der zahl der halbwellen bei 50 hz 10 10 1 2 [a] ? f 1 10 10 [n] 10 2 3
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